2025年這些半導(dǎo)體功率器件上市公司龍頭股收好?。?025/8/15）

據(jù)南方財(cái)富網(wǎng)概念查詢工具數(shù)據(jù)顯示，半導(dǎo)體功率器件上市公司龍頭股有：

揚(yáng)杰科技：半導(dǎo)體功率器件龍頭

8月15日，揚(yáng)杰科技(300373)開盤報(bào)57.37元，截至15點(diǎn)，該股漲1.05%，報(bào)58.000元，3日內(nèi)股價(jià)下跌0.64%，總市值為315.14億元。

中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率器件IDM企業(yè)，少數(shù)集單晶硅片制造、芯片設(shè)計(jì)制造、封裝測(cè)試等產(chǎn)業(yè)鏈為一體的IDM企業(yè)；公司主要產(chǎn)品包括二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管等功率器件。

2024年，揚(yáng)杰科技公司實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)10.02億，同比增長(zhǎng)8.5%，近三年復(fù)合增長(zhǎng)為-2.76%；每股收益1.85元。

新潔能：半導(dǎo)體功率器件龍頭

8月15日新潔能3日內(nèi)股價(jià)上漲2.66%，截至下午三點(diǎn)收盤，該股報(bào)34.930元漲5.15%，成交8.16億元，換手率5.72%。

2023年，新潔能公司實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)3.23億，同比增長(zhǎng)-25.75%，近三年復(fù)合增長(zhǎng)為-11.91%；每股收益1.13元。

半導(dǎo)體功率器件概念股其他的還有：

紫光國(guó)微：8月15日消息，截至15點(diǎn)紫光國(guó)微漲5.23%，報(bào)77.420元，換手率4.23%，成交量3592.95萬(wàn)手，成交額27.5億元。紫光國(guó)微自主研發(fā)的THD89系列產(chǎn)品已經(jīng)成功通過AEC-Q100車規(guī)認(rèn)證，在T-BOX等車聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域有很好的應(yīng)用前景，THD89系列為國(guó)內(nèi)最高安全等級(jí)芯片。公司半導(dǎo)體功率器件業(yè)務(wù)專注于先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)和銷售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于節(jié)能、綠色照明、風(fēng)力發(fā)電、智能電網(wǎng)、混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車、儀器儀表、消費(fèi)電子等領(lǐng)域，已形成領(lǐng)先的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)和市場(chǎng)地位。

TCL中環(huán)：8月15日消息，TCL中環(huán)7日內(nèi)股價(jià)上漲1.09%，最新報(bào)8.220元，成交額8.01億元。董秘秦世龍表示，半導(dǎo)體器件方面將優(yōu)化目前業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)，計(jì)劃重組半導(dǎo)體功率器件業(yè)務(wù)。

國(guó)星光電：8月15日消息，國(guó)星光電開盤報(bào)價(jià)9.3元，收盤于9.400元，漲0.64%。今年來(lái)漲幅下跌-44.89%，市盈率112.85。3月13日消息，國(guó)星光電開發(fā)的1200V/10ASiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證。這標(biāo)志著國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品從工業(yè)領(lǐng)域向新能源汽車領(lǐng)域邁出堅(jiān)實(shí)步伐。

英唐智控：8月15日消息，英唐智控下午三點(diǎn)收盤報(bào)8.910元，漲1.95%，總市值為101.13億元，換手率3.73%，10日內(nèi)股價(jià)上漲5.27%。英唐微技術(shù)生產(chǎn)線改造完成后還將兼?zhèn)湟許IC-SBD為主的第三代半導(dǎo)體功率器件的生產(chǎn)，并在持續(xù)升級(jí)設(shè)備和工藝后，逐漸拓展至其他的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品。

歐陸通：2025年8月15日，近3日歐陸通股價(jià)上漲26.16%，現(xiàn)報(bào)248.500元，總市值為266.18億元，換手率11.22%。公司設(shè)有深圳市博士后創(chuàng)新實(shí)踐基地和廣東省高能效智能電源及電源管理工程技術(shù)研究中心，研發(fā)氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體功率器件應(yīng)用技術(shù)等，未來(lái)將聚焦氮化鎵（GaN）MOSFET等）應(yīng)用研究。

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